微导纳米是一家面向环球的半导体、泛半导体高端微纳设备创修商。公司酿成了以原子层重积（ALD）身手为焦点，化学气相重积（CVD）等众种真空薄膜身手梯次进展的产物系统，一心于优秀微米级、纳米级薄膜摆设的研发、坐褥与出卖，向下搭客户供给尖端薄膜摆设、配套产物及任事。
正在半导体范畴内，公司是邦内首家胜利将量产型High-k原子层重积（ALD）摆设利用于集成电途创修前道坐褥线的邦产摆设厂商，也是行业内率先为新型存储供给薄膜重积身手支柱的摆设厂商之一。目前公司已与邦内众家厂商设立修设了深度配合合联，相干产物涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸众细分利用范畴，众项摆设合节目标到达邦际优秀秤谌，或许知足邦内客户目下身手的需求以及改日身手更迭的需求。正在光伏范畴内，公司行动率先将ALD身手周围化利用于邦内光伏电池坐褥的企业，已成为行业内供给高效电池身手与摆设的领军者之一，与邦内头部光伏厂商酿成了长久配合伙伴合联。同时，公司跟班下逛厂商的量产节律，连续优化XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池身手，引颈光伏行业身手迭代。遵循公然的市集数据统计，公司ALD产物已贯串众年正在营收周围、订单总量和市集占领率方面位居邦内同类企业第一。
行动邦度高新身手企业，公司先后荣获工信部专精特新小伟人企业、邦度学问产权上风企业、苏南邦度自决更始演示区独角兽企业、江苏省小伟人企业（创修类）等称谓，并被认定为江苏省原子层重积身手工程身手商讨核心、江苏省原子层重积身手工程商讨核心、江苏省省级企业身手核心、江苏省外邦专家办事室、江苏省博士后更始施行基地、江苏省商讨生办事站，负担众项邦度、省级庞大科技专项。陈诉期内，公司自决研发的iTomicHiK系列ALD摆设被认定为江苏省首台（套）庞大设备，iTomicMW系列批量式ALD摆设荣获第七届“集成电途物业身手更始奖”。
跟着摩尔定律接续演化，逻辑制程接续缩小、器件3D化促进以及终端利用的更始，集成电途的特点尺寸及机合接续微缩化、繁杂化。正在这种需求激动下，ALD、CVD等尖端真空薄膜身手正在半导体集成电途物业进展中饰演越来越紧张的脚色。邦内晶圆厂逆周期扩产和工艺迭代升级，加快了邦内半导体芯片创修客户对邦产薄膜重积摆设的物业化验证。同期，正在环球碳中和的布景下，光伏行业迅疾进展，装机量连续扩大。跟着公司与行业众家头部客户配合配合的PE-PoyTOPCon新型高效电池坐褥线完成周围化的量产，主流身手正迅疾从PERC过渡到TOPCon。
2023年度，公司完成开业收入为167,972.13万元，同比增进145.39%；完成归属于母公司全面者的净利润为27,039.19万元，同比扩大399.33%。跟着营业进展，公司科技功劳转化也呈加快形态，2023年度公司新增核心研发项目3项，新增申请专利146项，新增专利授权35项。
2023年度，公司新增订单总额约64.69亿元，是昨年同期新增订单的2.96倍。截止至2024年3月31日，公司正在手订单81.91亿元（含Demo订单），此中光伏正在手订单70.26亿元，半导体正在手订单11.15亿元，物业化核心新兴利用范畴正在手订单0.50亿元。
（1）半导体范畴：进入物业化验证阶段的ALD和CVD工艺品种接续扩大，目前已开拓工艺搜罗了HKMG身手、柱状电容器、金属化薄膜重积身手及高超宽比3DDRAM、TSV身手等，并还正在连续开拓客户需求的IGZO、Nb2O5等新工艺。客户类型涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、硅基OLED等，此中抢先75%的增量订单来自存储范畴（新型存储、3DNAND和DRAM），行业紧张客户需求显示强劲，酿成批量的反复订单合计已抢先5亿元。
除古代的逻辑、NAND/DRAM外，正在新型存储和硅基OLED范畴内，公司已得到开创性发达。目前诸如FeRAM等新型存储身手因具有分别于NAND/DRAM的存算一体机合，具有非易失性、迅疾数据访候、较好数据连结和低功耗等特征，正在擢升算力方面具有更高潜力。薄膜重积身手是激动新型存储身手物业化完成的合节身手之一。正在该范畴内，公司镀膜摆设已进入行业紧张客户端，处于量产验证阶段。
新型显示硅基OLED具有尺寸小、便携性等特征，合键用于近眼显示体例和投影显示，目前巩固实际(AR)、虚拟实际(VR)和搀杂实际(MR)摆设供应商渐渐起初利用相干身手，市集前景宽阔且进展敏捷。ALD工艺制备的高致密性阻水阻氧珍惜层薄膜能有用地对氧、水高度敏锐的硅基OLED举办珍惜，处置其因水氧腐蚀导致的利用寿命缩减的题目和短板，是硅基OLED量产的合节身手之一。正在该范畴内，公司已接续得回了如京东方、合肥视涯、浙江宏禧等新型显示硅基OLED厂商出名客户的订单，并就手出货，片面产物完成物业验证。
（2）光伏范畴：年度新增订单是昨年同期新增订单的2.92倍，约80%的增量来自于行业前十大电池片厂商及上市公司客户，利用的身手道途笼盖了TOPCon、XBC和钙钛矿电池，摆设类型以ALD摆设为主，poy摆设订单增进明显。截止2023年12月31日，公司预收合同款（合同欠债）和存货中已发出商品金额分歧为19.58亿元和19.26亿元，与订单周围相配合，现金流景况杰出。
（3）新兴利用范畴：公司接续推广ALD+CVD等镀膜平台化策略，连续正在新兴范畴举办前沿化开拓，为公司改日进展缔造更众收入增进极。目前，公司已正在新兴范畴得到冲破并逐渐展现功劳，正在光学、柔性电子、车规级芯片等几个极具市集潜力的薄膜重积身手利用前沿范畴起初得回客户订单。比如消费电子光学摄像头、车载摄像头、安防仪器、超透镜、ARVR等细密光学镜片行业已起初利用ALD替换古代镀膜身手。ALD镀膜工艺无误管制格式完成纳米级的超薄薄膜重积和杰出的保形性性情，很好地处置光学镜片异形、大曲面镀膜平均性题目。用来制备高职能的超低减反膜，有助于裁减镜头炫光和鬼影等伪影，从而普及成像质地。虽目前订单量较小，但受益于身手擢升和光学镜片等细密光学器件市集需求的扩大，该范畴尖端的薄膜重积身手的利用前景万分宽阔。
（1）半导体范畴构修以ALD为焦点，CVD等众种真空薄膜身手梯次进展身手平台系统ALD与CVD两类摆设均是半导体薄膜重积工艺中具有紧张位子的合节摆设
ALD与CVD两类摆设均是半导体薄膜重积工艺中具有紧张位子的合节摆设，目下邦产化率均处于较低秤谌，具有万分宽阔的市集前景。遵循SEMI行业统计，ALD约占半导体镀膜板块的11~13%市集份额，改日几年估计将连结高速增进，复合增进率高达26.3%；CVD约占半导体镀膜板块的57%市集份额，改日几年的复合增进率约为8.9%。
为知足客户正在各身手节点和各工艺合头对薄膜重积摆设的需求，正在连结焦点产物ALD摆设出卖领先上风的同时，公司胜利推出了具有市集逐鹿力的CVD摆设，并就手拿到批量反复订单，进一步夸大产物工艺笼盖度和市集空间。
公司半导体集成电途产物涵盖逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸众细分利用范畴
陈诉期内，公司片面半导体摆设已胜利进入数家行业出名客户产线并完成客户端工艺验证，客户数目进一步扩大，更加正在存储范畴客户拓展得到明显成绩。此中，iTomic系列ALD摆设接续连结行业领先上风，正在逻辑、存储范畴内均新增行业紧张客户的订单，更加正在新型存储范畴已得到批量反复订单。iTronix系列CVD摆设加快增加，正在2023年7月初度出货至客户端举办物业化验证后，得回了半导体集成电途行业内紧张客户的批量反复订单，并加快拓打开发客户需求的工艺摆设。iTomicMW摆设和iTomicLite摆设正在存储、新型显示（硅基OLED）和化合物半导体范畴内发达就手，得回如京东方、合肥视涯、浙江宏禧等客户的订单，并于陈诉期内初度得到验收，进入物业化利用阶段。
（2）光伏范畴促进以ALD为焦点的工艺整线战略和新一代高效光伏电池身手开拓
光伏范畴内，公司ALD摆设的市集占领率接续连结领先，产物矩阵接续充分，为客户供给具有逐鹿力的ALD、PECVD、PEALD、扩散退火等众种定制化产物和TOPCon整线工艺处置计划，完成了对TOPCon产线真空类摆设的全笼盖，产物品种、价格量明显普及。同时，公司依托巨大的商讨开拓才略助力下一代新型高效电池身手升级，正在TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层等电池身手范畴均有产物贮藏、构造和出货。
陈诉期内，公司光伏摆设已普遍利用于搜罗通威、隆基、晶澳、晶科、阿特斯、天合光能等正在内的众家出名太阳能电池片坐褥商。目前，正在手和新增光伏订单客户合键是邦内一线主流电池片厂商及上市公司，资信景况杰出，具有杰出的履约才略。此中，利用于TOPCon电池的ALD摆设市集占领率位居第一梯队并进一步大幅度的擢升，PE-Tox+PE-Poy摆设（隧穿氧化及掺杂众晶硅层摆设）受到行业的承认市集占领率迅疾扩大，PE-TOPCon工艺整线得回数十GW量产订单；利用于XBC电池的专用摆设于陈诉期内就手得回客户验收，且正在爱旭、隆基已投产和拟投产的XBC电池坐褥线中，公司ALD产物占比连结领先；正在钙钛矿电池范畴，首台利用于钙钛矿晶硅叠层电池管式ALD量产摆设得到客户验收，利用于钙钛矿电池的板式ALD摆设得回行业头部客户百兆瓦级量产摆设订单。公司贮藏的钙钛矿等新一代电池身手还正在连续开拓中，目前占对比小，改日将紧跟下业身手进展动态，连续促进相干身手的物业化历程。
公司将接续依托物业化利用核心平台连续索求尖端薄膜重积身手正在各新兴利用范畴的进展时机，并逐渐发展产物利用验证，连续激动新兴物业的身手提高。陈诉期内，公司新增立项众项新兴物业利用项目，散布于柔性镀膜、芯片封装、光学超低减反膜重积、新能源等细分利用范畴镀膜合头。截止至陈诉出具日，1）已研发推出了柔性电子二代机；2）利用于车规级芯片ALD摆设结束初度出货（海外客户）；3）首台光学范畴镀膜摆设就手发货，其他项目也正在有序促进中。
陈诉期内，公司争持自决更始，连续加大研发进入，褂讪现有身手上风，拓展并深化物业前瞻范畴的利用。2023年，公司研发进入3.08亿元，占收入比例抢先18.34%，此中约50%投向半导体范畴。公司半导体范畴研发投向搜罗逻辑、存储、新型显示器、化合物半导体等项目；光伏范畴研发投向搜罗TOPCon、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池身手等项目。
正在连续加强身手壁垒的同时，公司高度侧重身手珍惜办事，完整专利构造。陈诉期内，公司新增专利申请及授权数目再更始高，学问产权构造办事进一步加强，新增各样专利申请146项，新增专利授权共计35项，累计授权专利到达137项。同时，公司发端酿成了以“企业级-产等级-身手级”三位一体的字号-品牌构造，注册字号60件，局限包罗中邦、美邦、欧盟、澳大利亚、新加坡等众个邦度和区域。
陈诉期内，为知足迅疾增进的订单需求，公司正在坐褥创修、内部料理、供应链等方面众设施优化擢升保险产物准时交付。半导体创修和光伏创修周全实行模块化坐褥、平衡坐褥等精益坐褥理念，施行周全的数字化料理，完成了坐褥安放排程、坐褥进度及时剖释、坐褥资源有用分拨、产物格地和平追溯等，有用下降运营本钱，人均产值稳步增进。
同时，面临邦际营业地势改动导致的环球物业链调度，公司核心加紧了正在需求预测、库存料理和供应商料理等方面的运营，构修完整安靖的环球供应链系统，通过策略性采购、撮合开拓、扩大供应商贮藏等格式维持供应链的可连续性，保障焦点部件的可控性。
陈诉期内，公司新修研发坐褥基地修成投产，厂区占地面积约为5.62万平方米，拟筹办约6,000平方米的上等级清白室空间，此中约3,000平方米已修成并接续进入利用。新厂区各合键效用区划分科学合理，为公司后续研发、坐褥和运营供给足够的空间，夯实进展根柢。
4、人才部队摆设：引进和造就人才部队，施行股权驱策，深度绑定焦点员工好处
为撑持公司营业的进展，公司高度侧重人才提拔，争持以工程师文明理念为焦点，连续加英雄才梯队摆设，夸大职员独特是研发职员的周围。陈诉期内，公司研发部队职员接续充沛，研发职员到达429人，同比增进78.01%。目前已酿成了一支机合合理、分工真切、专业学问贮藏浓密、产线验证体验充分的研发团队。研发团队的构修将接续助力公司下逛利用范畴合节产物和身手的攻合与冲破。
同时，为了进一步设立修设、健康公司长效驱策与统制机制，吸引和留住出色人才，充沛调动焦点团队的踊跃性，公司同意和施行了2023年束缚性股票驱策安放，向驱策对象授予1,425.68万股束缚性股票。改日，公司将接续扩充和施行更众的设施，构修全方位的员工驱策系统，以保险公司焦点逐鹿力的稳步擢升。
陈诉期内，公司连续加紧正在公司经管、内部管制、新闻披露、财政料理系统等方面的轨制摆设，样板筹备举动，普及公司筹备料理秤谌。同时，设立修设并完整内部周全质地料理系统，使市集需求、产物开拓和身手升级、坐褥料理、质地管控、安环料理、市集营销、客户料理、售后任事以及财政料理等合节合头有用联贯并可无误追溯。
iTomic系列原子层重积镀膜体例，合用于重积众种氧化物和氮化物、相互掺杂重积工艺等薄膜质料，可用于逻辑芯片、古代及新型存储芯片的电容介质层、高k栅介质笼盖层、掺杂介质层、芯片创修电极及劝阻层、化合物半导体钝化和过渡层等众个利用范畴。该系列片面产物已得到客户验收，完成物业化利用，并得到反复订单。
iTomicMW系列批量式原子层重积镀膜体例，合用于重积众种氧化物和氮化物、相互掺杂重积工艺等薄膜质料，可用于逻辑芯片、古代和新型存储芯片电容介质层、掺杂介质层、新型显示器、芯片创修电极及劝阻层、化合物半导体钝化和过渡层等利用范畴。该系列片面产物已得到客户验收，完成物业化利用，并得到反复订单。
iTomicPE系列等离子体巩固重积镀膜体例，合用于重积众种氧化物和氮化物、相互掺杂重积工艺等薄膜质料；可用于MEMS、逻辑、存储、CMOS芯片的众重图案化和间隔层。该系列片面产物已发往客户处举办试样验证。
iTronix系列化学气相重积镀膜体例，可利用于逻辑、存储、优秀封装、显示器件等镀膜范畴。该系列片面产物正在2023年7月首台摆设出货后，目前一经得到客户批量反复订单。
正在半导体范畴内，公司目前一经开拓工艺搜罗HKMG身手、柱状电容器、金属化薄膜重积身手及高超宽比3DDRAM、TSV身手等，笼盖HfO、AO3、ZrO、TiO、LaO3、ZnO、SiO、HfSiO、HZO、HZLO、TiN、AN、SiN、SiON、SiGe等薄膜质料。
除上述专用摆设外，公司还为客户供给配套产物及任事，合键搜罗摆设改制、备品备件及其他两类营业。
①摆设改制。公司的摆设采用模块化策画，公司可能针对市集需乞降身手进展趋向，为已出卖的正在役摆设供给改制任事，以助助下搭客户用较少的本钱到达降本增效的结果，普及摆设服役年限。公司目前的摆设改制聚集正在光伏范畴摆设，摆设改制的实质合键搜罗尺寸改制、工艺改制等。
②备品备件及其他。公司摆设正在运转进程中，片面零部件会展示平常损耗，所以下搭客户需向公司采购易损耗的零部件。备品备件合键为载具（一体舟）等产物。公司还针对摆设供给载具冲洗、耗材改换等后续任事。
公司通过向客户出卖专用摆设，供给摆设改制、备品备件等配套产物及任事，得回相应的收入，扣除本钱、用度等相干付出，酿成公司的结余。
公司合键遵循研发、坐褥、售后任事的需求安放和和平库存的需求等同意和推广采购安放，正在合理管制库存的同时，保障物料供应的实时性。
公司采用定制化策画与坐褥。遵循客户采购意向和需求举办产物定制化策画与坐褥，以知足客户的差别化需求。公司正在摆设坐褥中存正在外协加工的环境，公司外协加工搜罗外购加工件和委外加工两种景况。
公司的出卖形式为直销，合键通过直接磋商和投标的格式获取客户。摆设运至客户指定的身分后，公司职掌机合安设调试、配合客户坐褥办事，并供给身手引导、售后跟踪和维修任事。
公司的产物研发及物业化流程合键搜罗需求提出、立项和筹办阶段、开拓完成阶段、物业验证阶段、物业化利用阶段。
遵循《邦民经济行业分类与代码》（GBT/4754-2017），公司所处行业属于C3562半导体器件专用摆设创修（指坐褥集成电途、二极管（含发光二极管）、三极管、太阳能电池片的摆设的创修），属于高端设备正在半导体集成电途、光伏等新一代新闻身手范畴、新能源范畴的利用。遵循公司产物的利用范畴的分别，下业进展环境如下：
（1）薄膜重积摆设是半导体前道工艺摆设的焦点摆设之一，受下逛晶圆产线扩产、身手迭代和新兴工艺的驱动，行业具有较大的市集空间和杰出的滋长性。
半导体行业是电子新闻物业的根柢撑持，物业链合键搜罗半导体质料、半导体摆设以及策画、晶圆创修、封测合头。长久来看，半导体是周期与滋长并存的行业，环球半导体行业一经历众轮周期，具体正在震动中上升。估计跟着以人工智能（AI）为代外的新兴利用的高速进展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储芯片产能扩产将是半导体摆设市集改日的焦点激动力。
正在AI等新兴利用激动下环球半导体市集希望正在2030年冲破1万亿美元市集周围
晶圆创修合头中，薄膜重积摆设制备的各样薄膜阐述着导电、绝缘、劝阻污染物等紧张感化，直接影响半导体器件职能，其与刻蚀摆设、光刻摆设并称为晶圆创修的三大主摆设，投资额占晶圆创修摆设投资总额的20%以上。
薄膜重积摆设的接续更始和提高撑持集成电途创修工艺向更小制程进展。跟着集成电途创修接续向更尖端工艺进展，单元面积集成的电途周围接续夸大，芯片内部立体机合日趋繁杂，优秀制程芯片和高端存储芯片所需求的薄膜层数和品种越来越众，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的质料品种和职能参数接续提出新的央求，这给以薄膜重积摆设为焦点产物的公司带来了极大的滋长时机。遵循SEMI估计，2023年环球半导体晶圆创修前端摆设市集周围为905.9亿美元，到2025年将夸大至1097.6亿美元，2023至2025年复合年均增进率到达6.6%。薄膜重积摆设约占晶圆创修前端摆设市集24%，2025年市集周围估计263.4亿美元。
（2）半导体薄膜重积行业具有较高的身手壁垒、市集壁垒和客户认证壁垒，邦际市集目前合键由古代摆设厂商占合键市集份额，邦产化趋向显明。
半导体薄膜重积摆设具有极高的身手壁垒，因为古代的邦际大型厂商建树较早，具有先发上风，而半导体摆设又具有验证周期长、配套办法和供应链重置本钱高的特征，后发厂商的客户认证壁垒较高。众重要素导致目前环球薄膜重积摆设市集根本上由利用质料AMAT(AppiedMaterias,Inc.)、泛林半导体LAM(LamResearchCorporation)、东京电子TEL(TokyoEectronLimited)、先晶半导体ASM(ASMInternationa)等古代摆设厂商占领合键市集份额。
为激动我邦半导体物业的进展，邦度先后设立邦度庞大专项和邦度集成电途基金，相干支柱计谋接续落实与施行，本土半导体及其摆设创修业迎来了空前未有的进展契机。同时，目下，海外半导体工艺摆设供应受限，基于供应链和平的琢磨，邦内晶圆厂商对半导体工艺摆设的邦产化需求猛烈，本土半导体摆设的导入和验证加快。薄膜重积摆设行动半导体创修的焦点摆设，将会迎来远大的进展时机。
（1）薄膜重积摆设是太阳能电池片创修合头的合节摆设之一，受益于光伏行业装机周围连续夸大和旧摆设改制需求增进，市集前景宽阔。
光伏电池片创修进程中，薄膜重积摆设制备的薄膜直接影响电池片的光电转换恶果。跟着电池机合的进展与电池转换恶果的接续擢升，薄膜重积摆设的紧张位子愈发凸显，且正在电池产线摆设投资中的占比接续普及。
环球《巴黎协定》的缔结以及中邦碳达峰和碳中和主意的提出，环球能源转型驱动光伏装机周围连续夸大。邦内过程过去十众年迅疾进展，光伏身手接续冲破，发电本钱迅疾消重，装机周围迅猛增进，遵循中邦光伏行业协会（CPIA）数据显示，2023年邦内累计新增装机216.88GW，同比增进148.1%，新增和累计装机量接续连结环球第一的秤谌。电池片产量抢先545GW，同比增进抢先64.9%。同时，电池身手也加快了从PERC到TOPCon的迭代，N型电池TOPCon市集占领率大幅度上升。装机容量和电池片产量的接续夸大，以及电池身手的迭代带头了光伏摆设更加是薄膜重积摆设需求的扩大。
其余，邦度发改委同相合部分商讨同意了《激动大周围摆设更新和消费品以旧换新行为计划》，相干计谋将支柱索求正在风电光伏、航空等新兴范畴发展高端设备再创修营业。加快风电光伏、动力电池等产物摆设残剩寿命评估身手研发，有序促进产物摆设及合节部件梯次行使。完整风力发电机、光伏摆设及产物升级与退伍等圭表。估计正在这一计谋的激动下，现存行业内面对现存的PERC电池产线将爆发较大周围的摆设改制任事需求。
正在PERC电池产线向TOPCon产线升级的进程中，公司既具备相应的摆设改制任事才略，也或许为客户供给改制进程中焦点摆设，下降客户产线改制的本钱，擢升产线）光伏电池片身手迭代带来摆设新需求，具备相应身手贮藏和研发气力的公司具有更强的市集逐鹿力。
光伏电池片创修合头的周围上风显明、身手迭代较速，正在完成周围经济、降本增效的驱力下，电池片厂商踊跃扩产并激动新身手物业利用，此中薄膜重积摆设行动光伏电池的焦点摆设与新型工艺身手开拓严密连接并连续迭代进展。
目前，因为PERC电池片的量产均匀转换恶果已渐渐迫近外面极限，TOPCon、HJT、XBC等新型电池身手道途正逐渐成为电池身手的合键进展偏向。新修量产产线起初合键聚焦于TOPCon、HJT两种身手道途。此中，TOPCon身手依靠其较高的转换恶果、相对成熟的摆设与工艺、较高的量产性价比，正在N型道途年下半年起初周围化量产。本轮身手迭代周期，率先完成身手研发与量产的领先摆设厂商将更具市集逐鹿力。公司长久深耕光伏新能源物业，正在TOPCon、XBC、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池身手范畴均有产物贮藏、构造和出货，下逛厂商供给环球领先的摆设产物和处置计划，连续引颈行业身手进展。
正在半导体范畴内，公司已与邦内众家头部半导体厂商设立修设了深度的配合合联，ALD物业化利用敏捷进展的同时，藉由现有的薄膜重积类产物研发、增加和物业化的体验，开拓了以CVD为代外的众种真空薄膜身手产物，相干产物涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等细分利用范畴，众项摆设的镀膜质地、产能秤谌、安靖运转才略等合节目标均已到达了邦际优秀秤谌。高介电常数（High-k）栅氧薄膜工艺难度较大，公司是邦内首家将其胜利量产利用于集成电途创修前道坐褥线的邦产摆设公司，也是邦内少数胜利将该类摆设利用于新型存储器创修坐褥线的邦产摆设厂商，并已得回客户反复订单承认，添补了我邦正在该项半导体摆设上的空缺。
正在光伏范畴内，公司行动率先将ALD身手周围化利用于邦内光伏电池坐褥的企业之一，已成为行业内供给高效电池身手与摆设的领军者之一，与邦内头部光伏厂商酿成了长久配合伙伴合联，相干产物已正在新型电池产线上取得下搭客户普遍承认，正在同类型产物中市集占领率位居第一梯队。同时，公司正在CVD摆设上也连续冲破，针对TOPCon电池身手焦点的隧穿氧化层与众晶硅薄膜研发了可镀导电膜的管式PECVDToxPoy集成身手计划，并胜利将研发功劳物业化，新身手不只被邦外里出名光伏媒体普遍转载，正在TOPCon的扩产海潮中也逐渐受到行业的承认，PEPoy摆设的市集占领率接续攀升，客户群体搜罗通威、阿特斯、晶科、天合光能等正在内的众家出名太阳能电池片坐褥商。
遵循公然的市集数据统计，公司ALD产物已贯串众年正在营收周围、订单总量和市集占领率方面位居邦内同类企业第一。
3.陈诉期内新身手、新物业300832）、新业态、新形式的进展环境和改日进展趋向
半导体薄膜重积摆设身手的演进旅途与半导体器件的巨细和机合息息相干。正在摩尔定律的激动下，元器件集成度的大幅普及央求集成电道途宽接续缩小，影响集成电途创修工序愈为繁杂，关于薄膜颗粒的央求也由微米级普及到纳米级。这一趋向对薄膜重积摆设爆发了更高的身手央求，市集关于高职能薄膜摆设的依赖渐渐扩大。
（1）半导体范畴中PVD、CVD、ALD三类薄膜重积身手互相添加、接续迭代。
常睹的半导体范畴中薄膜类型合键分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类。半导体范畴薄膜的重积质料与利用场景繁杂众样，追随制程的演变质料需求扩大，激动薄膜重积工艺和摆设的提高。薄膜制备按照的根柢道理分别，所以薄膜重积摆设的工艺存正在分别的身手道途。物理气相重积（PVD）、化学气相重积（CVD）、原子层重积（ALD）三类薄膜重积身手均为目前半导体范畴的主流身手道途，但各身手合用的合头有所分别。正在芯片的创修进程中，涉及十余种分别质料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺合头，需求分别职能和质料的薄膜，所以PVD、CVD、ALD三类薄膜重积身手仰赖各自身手特征拓展适合的利用范畴，质料制备上互相添加。三种身手自身也跟着下逛利用需求的普及连续进展。
ALD身手相较于CVD身手和PVD身手，物业化利用起步时代较晚，正在45nm以上等成熟制程、2D平面机合器件中利用较少，2007年Inte公司才初度正在45nm身手节点上起初利用ALD身手举办薄膜制备，合键因为正在优秀制程节点下，从来用于成熟制程的溅射PVD、PECVD等工艺无法知足片面工序央求，所以需求引入ALD工艺。ALD身手依靠其原子层级重积特征，具有薄膜厚度无误度高、平均性好、台阶笼盖率极高、沟槽填充职能极佳等上风，独特适合正在对薄膜质地和台阶笼盖率有较高央求的范畴利用，正在45nm以下节点以及3D机合等半导体薄膜重积合头具有较好的利用前景。半导体系程演进与薄膜重积身手对应环境如下：
（2）ALD身手正在逻辑芯片、DRAM、3D-NAND、新型存储器、新型半导体质料等紧张范畴的身手上风显明，利用敏捷夸大。
晶体管是组成逻辑电途、微收拾器及追思元件的根本单位，走电不绝是影响其良率、职能和功耗的紧张影响要素。进入45nm制程独特是28nm之后，古代的SiO2栅介质层薄膜质料厚度需缩小至1纳米以下，将爆发显明的量子隧穿效应和众晶硅耗尽效应，导致走电流快速扩大、器件职能快速恶化，业界提出了用高k质料来替换SiO2改正器件职能。HfO2行动栅介质层取得了普遍利用，栅介质层央求厚度原子级其它无误管制及高笼盖率和薄膜平均性，以是需求ALD身手来举办薄膜重积。
为了进一步擢升器件职能，正在半导体系程进入28nm后，因为器件接续微缩且转化为3D机合，如FinFET、GAA等。正在圭表平面调换闸极身手中，金属栅极堆叠由ALD、PVD以及CVD众种身手重积金属层连接构成，但器件过渡到FinFET、GAA等三维机合，PVD和CVD则难以到达重积结果，需求全方位的ALD处置计划。
目前，半导体行业的薄膜重积摆设中，ALD摆设行动身手进展所必需的工艺摆设，正在大周围量产方面邦内厂商尚未酿成冲破。当身手节点向14nm乃至更小的偏向升级时，ALD摆设的须要性加倍凸显。目前，基于供应链和平琢磨，邦内摆设创修商正面对更众的时机。面临半导体摆设向高精度化与高集成化偏向进展的趋向，以及邦产化历程加快的布景下，邦产半导体ALD摆设迎来空前未有的进展契机。
跟着DRAM存储器容量接续增大，其内部的电容器数目随之剧增，而单个电容器的尺寸将进一步减小，器件内部沟槽以及深孔的深宽比也越来越大。深沟槽将需求更高的薄膜外面积，比如正在45nm制程中，沟槽机合深宽比到达100:1，所重积薄膜的有用面积大约是器件自身外面积的23倍。这些给重积身手提出了更高的央求。同样地，得益于薄膜以单原子层为量级孕育所带来的大面积平均性、高台阶笼盖率和对膜厚的无误管制，ALD身手或许很好地知足这些央求。
3DNAND机合，内部层数接续增高，元器件逐渐显现高密度、高超宽比机合，PVD和CVD难以到达重积结果，ALD则可能完成高超宽比特点下的平均镀膜。以最具挑衅性的向字线DNAND瓜代堆叠氧化物和氮化物介电层，目前层数众达256层。蚁集陈列且具有高超宽比的孔浸透至这些层中，遵循高超宽比通道将陈列分为字线。为了创修存储单位，必需移除氮化物层并以钨举办调换。这种钨必需通过深（笔直深度50:1）通道引入，然后横向扩散，从而以无孔洞的超共形重积格式填充（之前的）氮化物秤谌面（横向比约10:1）。原子层重积或许一次重积一个薄层，这就确保了平均填充，并防备因淤塞而爆发的闲暇。
改日存储器的身手迭代搜罗进一步进展功耗低、速率速、容量大、追思时代长的各样新型存储器，如铁电存储器（FeRAM）、阻变存储器（RRAM）等，其所具有的格外质料和存储机合可正在众方面擢升存储器职能，也相应的需求更为尖端的薄膜重积工艺行动撑持。
以铁电存储器（FeRAM）为例，其铁电容栅介质层HfO2厚度往往小于5nm且显现高超宽比机合，同时还需求正在其介质中无误掺杂Zr和La来连结界面性情以安靖特定铁电相。行使ALD身手所具有的原子级其它薄膜膜厚安好均性无误管制、高笼盖率重积的特征，通过无误管制和调度轮回比例（众元掺杂和叠层身手），可能得回主意铁电电容质料HZLO薄膜及原子构成（Hf:Zr:La:O），知足了铁电存储器件创修进程的需求。又比方阻变存储器（RRAM），其是行使金属氧化物质料正在外加电场感化下高阻态和低阻态之间的可逆转换完成新闻存储，相应金属氧化物质料搜罗TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5、ZnO等，此类质料正在创修进程中对薄膜厚度、平均性和笼盖率均有较为端庄的央求且需求利用各样掺杂工艺，利用ALD身手或许知足相干的需求。
以铟镓锌氧化物（IGZO）行动代外的宽禁带半导体质料，可能有用制止合态走电流，具有理思的转移率、低热预算等所长，正在三维堆叠存储器、单片三维集成中具有紧张的利用潜力，有助于普及晶体管的集成密度。其余，正在显示利用范畴，比拟古代非晶硅和低温众晶硅晶体管，IGZO薄膜晶体管很好地兼备了高转移率、大面积成膜均一、低本钱且工艺兼容的上风，被大周围地利用正在新一代显示驱动范畴。制备IGZO的合节是无误管制元素配比和含氧量，其直接影响到器件自身的性情和安靖性。相关于其他工艺伎俩，通过ALD身手可能得回到具有无误厚度、较低氧缺陷的高职能IGZO薄膜，正在繁杂机合的尖端器件和新型显示利用中具有杰出的利用前景。
综上所述，ALD身手依靠优异的三维共形性、大面积成膜的平均性和无误的膜厚管制等特征，身手上风愈加显明，正在半导体薄膜重积合头的市集占领率也将连续普及。SEMI估计2020年-2025年环球ALD摆设市集周围年复合增进率将到达26.3%，正在各样合节晶圆坐褥摆设中增速最速。
自2011年起初，晶圆代工场起初采用恶果更高、功耗更低的16nm/14nmFinFET晶体管机合，但因为当光罩线宽迫近光源波长时将会产生显明的衍射效应，会导致光刻工序的失效。正在EUV身手普及之前，目前主流的ArFDUV光刻机（波长193nm）通过浸润、相移掩模、众重曝光等伎俩，知足28nm以下7nm以上的制程工艺。众重曝光身手是指正在现有的光刻机精度下，次第利用分别的掩膜版，分歧举办两次及以上的曝光，将一次曝光留下的介质层行动二次曝光的片面遮挡层。正在此进程中，因为众重曝光扩大了众道薄膜重积工序，需求薄膜身手具有迫近100%的保型性、薄膜厚度管制精准，所以ALD身手被敏捷增加利用。
固然跟着ALD身手的进展，其利用局限逐渐拓展，但因为芯片的创修进程中，涉及数十甚至百余种分别央求的薄膜质料，各样电职能、呆滞职能分别的薄膜组成了芯片3D机合体中分别的效用，分别品种的薄膜重积摆设合用于分别工艺节点对膜质地、厚度以及孔隙沟槽填充才略等分别央求，CVD等古代薄膜重积摆设仍普遍利用于半导体薄膜重积的各合头，并盘踞必然的市集空间。遵循SEMI和北京欧立信数据显示，正在2021年环球各样薄膜重积摆设市集份额中，PECVD、LPCVD等CVD身手仍是薄膜摆设中占比最高的摆设类型，PECVD占具体薄膜重积摆设市集的33%，LPCVD摆设占比约为11%。
此中，PECVD摆设是芯片创修的焦点摆设之一。因为等离子体的感化，可能正在相对较低的响应温度下酿成高致密度、高职能薄膜，可能害已有薄膜和已酿成的底层电途，完成更速的薄膜重积速率，是芯片创修薄膜重积工艺中利用最普遍的摆设之一。
再如，LPCVD身手中，响应压强消重到100Torr及以下，分子的自正在程与气体扩散系数增大，气态响应物和副产品的质地传输速度加快，酿成薄膜的响应速度扩大，具备较佳的阶梯笼盖率及很好的构成成份和机合管制。LPCVD摆设具有重积速度速，产能上等特征，且不需求载子气体，大大下降了颗粒污染源，被普遍地利用正在芯片创修进程中。
PECVD、LPCVD等CVD摆设合用于分别工艺节点对膜质地、厚度以及孔隙沟槽填充才略等的分别央求，相干摆设笼盖的工艺局限广，利用场景也较众。因邦内半导体行业进展较为敏捷，且目前CVD的邦产化率秤谌还处于较低秤谌，邦内CVD摆设市集具有万分宽阔的市集空间。
公司半导体ALD和CVD摆设的利用场景均代外邦内半导体各细分范畴的工艺进展偏向，正在逻辑芯片、存储芯片、新型显示、化合物半导体范畴均有摆设订单，并已正在客户段验收或客户验证，的确环境如下：
①正在逻辑芯片范畴，已开拓的逻辑芯片中高k栅介质层是邦内集成电途身手迭代升级央求最高的工艺之一。公司ALD摆设依靠原子级其它无误管制及重积高笼盖率和薄膜的平均性，制备的高k质料HfO2较好的知足了逻辑器件创修进程的需求，相干摆设已得到客户验收，完成物业化利用，并已得回反复订单。同时，公司还正在逻辑芯片范畴接续开拓新的摆设工艺和质料利用。
②正在存储芯片范畴，ALD摆设正在高k栅电容介质层、介质笼盖层、电极、劝阻层等工艺中的上风使其被普遍利用于DRAM、3D-NAND、新型存储器等半导体创修范畴，改日其正在薄膜重积合头的市集占领率将连续普及。公司利用于该范畴的片面摆设已进入物业化利用阶段。此中，iTomic系列单片型ALD摆设已得回众种工艺摆设的反复订单，且正在铟镓锌氧化物（IGZO）等半导体质料以及铁电存储器（FeRAM）等新型存储范畴内贮藏并开拓了众种工艺及摆设。IGZO相干工艺和摆设处于客户测试阶段。FeRAM相干工艺和摆设目前正正在客户产线举办量产验证，成为邦内少数胜利量产利用于新型存储器创修坐褥线的邦产薄膜重积摆设之一；iTomicMW系列批量型ALD摆设也已得回客户订单，且为邦内首台批量型ALD摆设正在存储芯片创修范畴的利用。
CVD摆设正在DRAM芯片、NAND芯片等范畴具有普遍的利用。此中，iTronix系列CVD摆设一经正在初度出货至客户端举办物业化验证后，得回了行业紧张客户的批量反复订单。
③正在新型显示芯片范畴，公司产物合键利用于硅基OLED的阻水阻氧珍惜层制备，该类硅基OLED具有尺寸小、便携性等特征，合键用于近眼显示体例和投影显示，市集前景宽阔且进展敏捷。薄膜重积合头是影响其量产的合节身手之一。正在该范畴内，公司已接续得回了如京东方、合肥视涯、浙江宏禧等新型显示硅基OLED厂商出名客户的订单，并就手出货。片面产物已得回客户验收，并得到反复订单。
④正在化合物半导体范畴，化合物半导体的钝化层和过渡层利用化合物半导体功率器件，具有宽阔的市集前景。比如，氮化镓器件相关于硅基器件有高频高压的特征，其栅极机合渐渐被V型或深沟槽型机合代替，氮化镓器件的走电题目也日益高出。ALD身手适合于孕育超薄A2O3、AN等薄膜行动钝化层和过渡层，可能起到更好的器件走电制止结果，保障器件具有杰出的走电和击穿职能。公司利用于该范畴的iTomicLite系列轻型ALD摆设产物已得回众个客户订单，片面已得到客户验收，完成物业化利用。
跟着逻辑芯片、DRAM、3D-NAND及新型存储器芯片、化合物半导体、新型显示（硅基OLED）等半导体身手的迅疾进展，下逛坐褥合头关于重积薄膜的厚度、精度、因素和机合的央求接续普及，对ALD、CVD摆设采购需求将会连续扩大。公司一经与下逛半导体创修厂商就各样尖端利用发展配合，或许知足客户制备高质地薄膜的需求。正在邦产化历程加快的布景下，跟着下搭客户逐渐达产和半导体各细分范畴工艺利用投资周围的夸大，公司产物将具有更宽阔的市集前景。
光伏薄膜重积摆设身手的演进旅途与光伏电池类型改变相干。太阳能电池片身手道途合键搜罗铝背场电池（A-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、XBC电池、钙钛矿等。目前，PERC身手一经极度成熟，TOPCon正逐渐成为主流，同时行业内也正在踊跃索求或构造HJT、XBC、钙钛矿等新型光伏电池身手，目前尚处于测验或验证阶段。
光伏范畴中薄膜重积身手以PECVD和ALD为主，归纳利用众项身手道途是行业趋向。PECVD身手因其兼容性高，各样型利用前景普遍。ALD身手行动成膜质地最好的身手，跟着光伏恶果擢升对薄膜工艺央求普及，也有更众的利用场景。行业内薄膜摆设厂商目前合键以PECVD或ALD身手道途为主，遵循各自的身手积蓄和改日身手偏向的专业剖断，同时举办众种身手道途的选取和实验。
公司ALD身手正在TOPCon电池中一经得到杰出利用，因ALD身手优异的保型性且薄膜质料密度一律，正在TOPCon电池具有金字塔绒面的正面A2O3钝化层制备中，公司的ALD摆设正成为主流身手道途。同时，公司还基于PEALD、PECVD等众种真空薄膜身手，开拓众款分别身手道途的产物，已推出的PE-ToxPoy摆设物业化发达就手，客户承认度较高，市集占领率迅疾擢升。由公司开拓的行业内首条GW级PE-TOPCon工艺整线一经得回客户的验收，带头和引颈了行业内TOPCon电池的量产导入。同时，公司还踊跃地索求开拓双面Poy、XBC、异质结/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池方面的身手。
自设立此后，公司不绝侧重研发办事，通过接续身手改正、身手更始，正在以ALD身手焦点的薄膜重积身手范畴酿成了众项焦点身手和科技功劳，并利用于公司主开业务，完成了科技功劳与物业的深度调和。公司正在原子层重积响应器策画身手、高产能真空镀膜身手、真空镀膜摆设工艺响应气体管制身手、纳米叠层薄膜重积身手、高质地薄膜创修身手、工艺摆设能量管制身手、基于原子层重积的高效电池身手等七类焦点身手，正在前沿科技范畴连续修建和加强身手壁垒。
受益于公司完善的ALD和CVD摆设构造、公司焦点身手连续冲破、产物升级迅疾迭代，产物品种接续充分。公司构造的薄膜摆设（包罗正在陈诉期内敏捷进展的CVD身手和起初施行研发的PVD身手）正在半导体集成电途行业是除光刻机和刻蚀机外第三大摆设市集。陈诉期内，公司焦点身手正在原有七大身手根柢长进行了进一步的升级和拓展，目前公司逐渐酿成了薄膜重积响应器策画身手、高产能真空镀膜身手、真空镀膜摆设工艺响应气体管制身手、纳米叠层薄膜重积身手、高质地薄膜创修身手、工艺摆设能量管制身手、基于原子层重积的高效电池身手、柔性质料制备身手、薄膜封装身手，以及高效电池整线工艺身手等十大焦点身手。
该项焦点身手涵盖众种薄膜重积摆设架构，正在基于ALD摆设墙体的构架根柢上，琢磨众品种型基底的薄膜重积响应需求，行使众种能量源泉，施行原子层气相重积（ALD、）化学气相重积（CVD）和物理气相重积（PVD）计划，处置针对分别基底所需薄膜重积工艺举办的真空境遇及各式工艺腔室的策画题目。对原有焦点身手举办了横向开掘和扩充。
高产能真空镀膜身手通过对基片承载装备及其运动逻辑、耽误清算周期装备的策画，知足巨额量工业化坐褥央求、普及摆设维持周期。此中，跟着“高阻隔阂物业化身手研发”项主意接续深远，“柔性质料制备身手”从“高产能真空镀膜身手”从分散出来。正在该身手领域之下，相干产物iSparo系列卷对卷产物一经出货邦内出名FPD面板创修商。
跟着业态的进展，正在高质地薄膜创修工艺方面，公司渐渐天生“薄膜封装身手”，合键指的是显示芯片的薄膜封装（ThinFimEncapsuation，TFE）以及半导体芯片的优秀封装工艺及相干身手。有用的TFE对防备FPD中的芯片质料被湿气与颗粒降解极度合节。
封装职能直接影响OLED和micro-LED摆设的寿命与光照职能。薄膜封装(TFE)让AMOLED摆设更强、更轻更灵便。公司的封装身手下爆发的产物摆设或许通过供给众层处置计划耽误刚度或者可挠式OLED和micro-LED的寿命，其伎俩是连接具有极低水气及氧气浸透的扩散阻隔阂与缓冲层，开释堆叠薄膜应力并粉饰前道工艺中无法避免的微粒。这些以低温重积的高职能薄膜，针对处置了OLED和micro-LED质料对境遇要素敏锐易理解的题目。其余，该体例奇异的视觉对位身手确保网格定位与重积或许确切且细密，让面板创修商或许替换或镌汰光刻与刻蚀工艺举措，从而下降坐褥本钱。
优秀封装身手是将分别体例集成到统一封装内以完成更高效体例恶果的封装身手。与之比拟，古代的封装是将各个芯片稀少封装好，再将这些稀少的封装芯片装置到PCB主板上组成完善的体例，芯片间的新闻交流属于PCB级的互连（interconnect），又称板级互连；或者将分别的芯片贴装到统一个封装基板Substrate上，再结束体例级的封装，芯片间的通信属于Substrate级的互连。这两种大局的封装互连身手，芯片间的新闻传输需求通过PCB或Substrate布线结束。芯片间的新闻传输隔绝越长，新闻转达越慢，芯片组体例的职能就越低。所以，统一芯片秤谌下，PCB级互连的具体职能比Substrate级互连的性较弱。通过包罗ALD或者CVD等重积工艺和其他工艺，将分别体例集成到统一封装内以完成更高效体例恶果的封装，可完成众种该封装身手或许完成芯片具体职能（搜罗传输速率、运算速率等）的擢升。
古代的封装是将各个芯片稀少封装好，再将这些稀少的封装芯片装置到PCB主板上组成完善的体例，芯片间的新闻交流属于PCB级的互连（interconnect），又称板级互连；或者将分别的芯片贴装到统一个封装基板Substrate上，再结束体例级的封装，芯片间的通信属于Substrate级的互连。
这两种大局的封装互连身手，芯片间的新闻传输需求通过PCB或Substrate布线结束。外面上，芯片间的新闻传输隔绝越长，新闻转达越慢，芯片组体例的职能就越低。所以，统一芯片秤谌下，PCB级互连的具体职能比Substrate级互连的职能弱。
基于“基于原子层重积的高效电池身手”，公司于2021年发展了“整线”相干营业，截止陈诉期，“整线”相干营业一经升级到第三代身手，并酿成了一整套的基于电池坐褥线筹办的“高效电池整线工艺身手”。该身手是针关于光伏电池电池片坐褥合头中的各工艺及摆设举办编组和工艺流程策画，从而擢升相应电池工艺的身手秤谌、产能，以及光电转化恶果。
陈诉期内公司新增专利申请及授权数目再更始高。此中，新增各样型邦度专利授权共计35项，累计授权专利数到达137项，新增申请专利共计146项，累计申请专利数到达381项。
陈诉期研发进入总额扩大16,974.45万元，增进幅度为122.65%，系公司进一步扩充研发团队、加大研发进入、踊跃加快新产物研发营谋所致。
陈诉期内跟着公司研发项主意促进，片面项目己得到客户订单，进入开拓完成或物业化验证阶段，公司对此片面知足资金化条款的研发进入予以资金化收拾。
因片面正在研项目市集连续拓荒，工艺升级连续优化的需求，陈诉期内调度片面项目估计总投资额度。合计数与单项加总的尾差系四舍五入所致。
公司以ALD身手为焦点，一心于ALD工艺身手研发和利用场景拓展。ALD工艺可能正在100%阶梯笼盖率的根柢上完成原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。跟着制程身手节点的接续提高，ALD工艺优异的重积平均性和一律性使得其正在微纳电子学和纳米质料等范畴具有普遍的利用潜力，会越来越受到青睐。
其余，ALD身手行动一种具有普适道理的真空镀膜身手，正在柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸众高精尖范畴均具有杰出的物业化前景。上述任一范畴的利用前景均外现了ALD的身手特征及上风，为公司的后续进展供给了宽阔市集空间。
公司创始团队、焦点料理职员具有充分的邦外里顶级半导体摆设公司研发和运营料理体验，并踊跃引入和提拔一批体验充分的电气、工艺、呆滞、软件等范畴工程师，酿成了跨专业、众主意的人才梯队。公司的研发身手团队机合合理，专业学问贮藏浓密，工艺开拓、产线验证体验充分，是奠定公司身手气力的基石。
同时，公司已设立修设的物业化利用核心以现有身手为根柢，环绕邦产化替换的策略需求，连接行业内最前沿的身手进展趋向和市集需求，针对优秀身手和工艺职能，搭修了研发平台、高端研发人才提拔平台以及改日新项目、新企业进展孵化器。物业化利用核心使公司具有前瞻利用定制化才略，可为客户供给全场景Demo摆设线，从而或许实时反映客户的各样需求，为客户供给全方位的处置计划。
公司争持自决研发，已酿成薄膜重积响应器策画身手、高产能真空镀膜身手、真空镀膜摆设工艺响应气体管制身手等十项焦点身手，上述焦点身手胜利利用于公司各样产物。公司半导体iTomicHiK系列ALD摆设和光伏KF系列ALD摆设均被评为江苏省首台（套）庞大设备产物，半导体范畴摆设成为邦产首台胜利利用于集成电途创修前道坐褥线的量产型High-k原子层重积摆设，其他产物也已正在半导体及泛半导体范畴过程量产验证，并得回反复订单。
公司的摆设产物笼盖半导体、光伏、柔性电子等分别的下逛利用市集，半导体范畴公司以ALD为焦点正逐渐拓展CVD等众种镀膜身手和产物，光伏范畴公司连续促进以ALD为焦点的工艺整线战略和新一代高效光伏电池身手开拓，同时依托物业化利用核心平台索求优秀薄膜重积身手正在其他新兴利用范畴的进展时机。众范畴、众品类产物笼盖或许必然水准平抑各细分市集震动对公司功绩带来的影响，同时接续拓宽公司市集周围和滋长空间。
正在半导体范畴内，公司率先攻下难度较高的逻辑电途栅氧层氧化铪工艺并得回了客户的反复订单，为公司向全工艺段笼盖奠定客户根柢。公司先后得回逻辑、存储、化合物半导体和新型显示范畴内众家邦内出名半导体公司的贸易订单，并与众家邦内主流半导体厂商及验证平台签定了保密和叙并发展产物身手验证等办事。光伏范畴已笼盖搜罗通威、隆基、晶澳、晶科、阿特斯、天合光能等正在内的众家出名太阳能电池片坐褥商。
公司合键产物为非圭表化产物，通过将根柢研发与行业利用严密连接，以下逛企业的本质需求为研发导向，为客户定制化开拓可量产的工艺及摆设。公司身手任事系统健康，为客户供给实时的驻厂身手任事支柱，实时抵达现场排查障碍、处置题目，保障迅疾反映客户的需求，缩短新产物导入的工艺磨适时代。
(二)陈诉期内产生的导致公司焦点逐鹿力受到紧张影响的变乱、影响剖释及应对设施
跟着身手和利用范畴的接续进展，下搭客户对薄膜重积摆设工艺道途、质料类型、身手目标等央求也接续改变，所以会对产物提出新的央求。公司紧跟行业身手进展趋向为客户供给具有身手上风的高附加值产物及利用处置计划。但假设改日公司未能确切清楚下搭客户的产线摆设及工艺身手演进需求，或者身手更始产物不行契合客户需求，公司焦点逐鹿力将受到影响。
公司产操行动下搭客户产线的合节工艺摆设，客户对公司新产物的验证央求较高、验证周期较长，公司用于半导体各细分范畴和新型高效电池的新产物存正在验证进度不足预期的危险。
正在半导体范畴，我邦半导体摆设创修物业起步较晚，目前邦内产线合节摆设的邦产化仍处于起步和进展阶段。正在光伏范畴，新型高效电池扩产安放连续促进，但因身手成熟度、投资本钱等束缚性要素，周围化量产尚存正在不确定性。假设半导体创修和邦内新型高效电池产线进展不足预期，公司改日出卖增进将受到束缚。
因为客户采购存正在非平均、非贯串等特点，导致公司各季度间的订单缔结金额存正在较动。受产物开拓和坐褥周期、下逛市集境遇、客户筹备景况等要素影响，公司各订单从合同缔结、发货到最终验收的周期也存正在较大差别，从而使得公司各季度的开业收入震动较大。而与此同时，公司的时间用度付出有较强刚性。由此导致了公司各季度经开业绩存正在震动，乃至能够展示单个季度亏空的危险。
陈诉期末，公司存货账面价格较高，合键是因为公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已遵循管帐计谋的央求并连接存货的本质景况计提了存货削价企图，但仍不行解除市集境遇产生改变，或其他难以估计的来源，导致存货无法就手完成出卖，或者存货价钱展示大幅下跌的环境，使得公司面对存货削价危险。
陈诉期内，跟着公司营业周围及开业收入的迅疾增进，客户数目的逐渐扩大，应收账款和合同资产也大幅扩大。假设展示下业震动、客户本身财政景况恶化等要素导致应收账款不行准时接受，并导致需求计提较大金额的坏账企图或无法接受产生坏账的环境，将对公司经开业绩、筹备性现金流等爆发倒霉影响。
公司的筹备景况与下业的进展亲热相干，半导体范畴，假设因为邦际政事和经济景色惹起的对尖端身手的封闭或者因为下业的周期性震动等，导致上述行业固定资产投资及对摆设需求的消重，也将会影响公司经开业绩；改日假设光伏行业计谋改变等要素导致行业景心胸消重或者产能紧张过剩，进而影响下逛企业对公司产物的需求，能够对公司的经开业绩爆发倒霉影响。
近年来ALD身手因其杰出的市集空间和充分的利用场景受到合怀，正在远大进展潜力的吸引下，邦内逐鹿者起初展示，逐鹿也趋于激烈。改日跟着邦内逐鹿企业的扩大，能够压缩公司的利润空间，并导致公司市集份额下滑，对公司坐褥筹备爆发倒霉影响。
环球物业链和供应链从头调度及营业摩擦对环球经济进展和宇宙政经式样变成庞大障碍，假设因为上述要素能够展示上述海外供应商受相干计谋影响裁减或者截至对公司零部件的供应，或者因为邦产替换的元器件无法到达境皮毛干产物的质地和身手圭表，进而影响公司产物坐褥才略、坐褥进度和交货时代，进而对公司的筹备爆发倒霉影响。
公司专用摆设目前合键利用于半导体和光伏行业。半导体摆设行业是外率的身手蚁集型行业，为了连结身手上风和逐鹿力，防备身手外泄危险，已负责优秀身手的半导体摆设企业经常会通过申请专利等格式修立较高的进入壁垒。改日跟着公司营业的进展，一方面存正在逐鹿敌手意睹公司进犯其学问产权权力或申请公司专利无效的景况，另一方面也存正在公司的学问产权被侵权的能够。上述来源均能够导致公司爆发学问产权缠绕，对公司的平常筹备营谋爆发倒霉影响。
公司2023年开业收入167,972.13万元，同比增进145.39%；2023年归属于上市公司股东的净利润27,039.19万元，同比增进399.33%；2023年扣除非时时性损益后的归属于上市公司股东的净利润18,813.83万元，同比增进849.89%；2023年终公司总资产758,200.60万元，同比增进98.47%；2023年终归属于上市公司股东的净资产234,447.04万元，增进19.45%。
正在半导体范畴，中邦正处于环球半导体物业移动的史籍时机期，邦内物业链的景心胸和滋长性加倍突显。依托宏伟的终端利用市集需乞降邦度物业计谋的大肆支柱，中邦集成电途物业进展敏捷，邦内芯片创修企业的产线摆设数目和投资周围也相应迅疾增进。同时跟着邦产半导体摆设产物的身手职能接续擢升，加之邦度针对半导体泛半导体物业具体策略构造，集成电途创修的摆设端邦产替换趋向显明，半导体摆设邦产化历程加快。
伴跟着邦度煽惑类物业计谋和物业投资基金接续的落实与施行，本土半导体及其摆设创修业迎来了空前未有的进展契机，而薄膜重积摆设行动半导体创修的焦点摆设，将会迎来远大的进口替换市集空间。目前，基于供应链和平琢磨，邦内摆设创修商正面对更众的时机。面临半导体摆设向高精度化与高集成化偏向进展的趋向，以及邦产化历程加快的布景下，邦产半导体薄膜重积摆设迎来空前未有的进展契机。
正在光伏范畴，邦内过程过去十众年迅疾进展，光伏身手接续冲破，发电本钱迅疾消重，装机周围迅猛增进。跟着环球《巴黎协定》的通过以及中邦碳达峰和碳中和主意的提出，意味着环球能源转型，希望驱动光伏装机周围接续夸大。邦内光伏装机和电池片产能一经贯串众年位居环球首位，并连结着较强的逐鹿力。遵循中邦光伏行业协会预测，十四五时间我邦光伏市集将迎来市集化摆设岑岭，估计邦内年均光伏装机新增周围正在70-90GW。
正在光伏行业降本增效的进展趋向激动下，新产物、新身手屡见不鲜，相应量产和扩产需求催生更众的坐褥摆设需求，正在邦内远大市集需求拉动下，具备相应身手研发和坐褥创修才略的光伏摆设厂商收入估计将连结迅疾增进。目前物业化前景最为真切的TOPCon电池关于薄膜重积的需求更高，具备量产才略的薄膜重积摆设厂商面对迅疾进展的市集时机。
行动绿色梓里的激动者，以及科技更始、自立自强的践行者，公司争持环球化构造与众元化进展，通过构修以原子层重积（ALD）身手为焦点，化学气相重积（CVD）等众种真空薄膜身手梯次进展的产物系统，依托于物业化利用核心，引颈更始性利用，接续向各范畴举办横向以及纵深进展。通过自决更始，踊跃开拓半导体、下一代光伏电池、柔性电子等范畴具有市集逐鹿力的产物。通过为客户供给一流身手、一流品格和一流任事，接续扩展市集占领率，打制高端设备创修商的优质品牌，完成高端身手设备的邦产化、物业化，择机通过收购等格式，对焦点身手上下逛合节工艺举办身手整合，针对新兴物业酿成一整套身手处置计划，力求成为环球微纳创修设备指导者。
正在半导体范畴内，公司将行使现有的优秀身手，拓展市集空间，力求成为邦内市集半导体ALD摆设的领军企业。公司将对准邦外里半导体优秀身手和工艺的进展偏向，构修和完整ALD、CVD等众种优秀真空身手平台，连续充分产物矩阵，为客户供给最优秀的、集成化的真空身手工艺处置计划，笼盖逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等细分利用范畴及各样氧化物、氮化物等工艺，打通邦内优秀半导体下一代身手迭代的需求，从而盘踞身手的最前沿，确立行业指导位子，引颈行业更始进展。
正在光伏范畴内，公司将紧跟下业电池身手迭代和扩产的进展趋向，充沛阐述ALD、CVD等众种优秀真空身手平台的上风，横向拓宽产物线，普及市集笼盖率，为客户供给ALD、PECVD、PEALD、扩散等配套产物，定位新型高效电池工艺整线摆设供应商，引颈行业TOPCon等新型高效电池量产导入，并踊跃开拓XBC、钙钛矿/异质结叠层电池等下一代光伏高效电池身手，从而捉住目下行业进展时机，贮藏改日增进点。
其他新兴行业如新能源、光学、显示、封装等范畴内，依托公司物业化利用核心行业拓展的策略安顿，加快产物构造和筹办，依靠正在身手方面的领先上风，连续举办新身手及新利用的开拓，并进入新市集范畴，接续推出引颈行业的更始型产物，促进物业化验证和利用，以及深化拓展焦点身手正在众范畴内的市集空间。通过众范畴进展，下降了简单行业周期性震动带来的影响。
公司将接续争持以客户需求行动身手研发导向，连续扩大研发进入，亲热追踪最新的身手及进展趋向，连续发展对新身手的商讨，加快产物更始。接续完整研发料理机制和更始驱策机制，对正在身手研发、产物更始、专利申请等方面做出功绩的身手研发职员均予以相应的外彰，饱舞身手研发职员的办事热忱。连续加大研发进入力度，搭修更好的研发测验境遇，为身手冲破和产物更始供给紧张的根柢和保险。
公司将接续亲热合怀客户需求，正在知足现有客户摆设需求的同时，深度开掘现有客户的其他需求，并踊跃拓展邦外里其他出名客户，接续支柱公司夸大营业周围。正在产物身手道途调换、出卖、任事、新闻反应等合头为客户供给专业化的任事和处置计划和增值任事。
公司将遵循改日身手进展筹办和现有人才贮藏景况，接续加英雄才部队的摆设办事。公司遵循营业进展需求，同意短期、中期和长久相连接的人力资源筹办及的确施行宗旨，设立修设、健康公司科学化、样板化的人力资源料理体例，珍视邦外里高端专业身手人才的引进。通过人才提拔安放，知足了公司进展的人力资源需求，加强了身手研发团队的力气。巩固焦点筹备职员和身手职员的安靖性，连续促进人才提拔安放，进一步擢升研发部队的更始才略，接续推进员工归纳本质及营业秤谌的普及。
公司将遵循进展策略完整产物矩阵和产物线，并核心摆设ALD、CVD身手高端设备物业化研发核心。仰赖公司焦点身手加大研发力度，开拓系列化高端集成电途创修所需的ALD、CVD摆设及团簇式集成平台等产物。与邦外里顶尖半导体及泛半导体创修商加深配合，大肆开拓量产化工艺身手，完成专有工艺配合专用摆设的配套，擢升产物身手壁垒，巩固产物正在邦际市集的逐鹿力。大肆开拓新能源范畴物业化利用身手和专用物业化设备，积蓄前沿身手物业化利用的学问产权，构造前瞻性身手范畴合节物业化身手以及具体处置计划。从而打制环球局限内有影响力的身手物业化高端设备商讨和利用核心。
陈诉期内，公司同意学问产权策略进展筹办，遵循办事主意和办事职分踊跃促进以三年为基准的策略计划。陈诉期内以完整学问产权料理系统为主，加大学问产权经费进入擢升学问产权新闻归纳利用，发展合节产物专利身手剖释办事，辅助研发更始的同时，酿成学问产权产出，完整合节产物专利海外构造，积蓄学问产权上风；第二年以高价格专利造就为主，连续促进合节产物专利身手剖释办事，进一步完整合节产物专利构造，普及和加紧缠绕应对才略；第三年以本身身手为起点发展运营，周全连续促进办事实质。
公司将加紧和健康各行状部的专业化、邦际化市集营销团队，擢升营销团队的专业身手才略，踊跃拓展邦外里市集。同时亲热合怀市集动态，认识身手趋向，加紧新闻反应，迅疾有用地开掘客户需求，环绕公司焦点身手，踊跃为客户供给具有逐鹿力的处置计划。同时，加紧对客户身手任事和产物的质地及品牌维持，通过优秀身手、优质产物以及专业任事，擢升公司的焦点逐鹿力，打制公司邦际化品牌。加强各行状部相干物业的身手调换和互动，踊跃加入相干身手范畴的圭表与样板同意办事，设立修设专业化、邦际化位子，打制具有影响力的微纳设备创修指导者情景。
1）下降归纳本钱：公司将通过本钱核算核心，普及本钱核算的无误率和恶果，下降归纳本钱，压缩采购本钱，管制策画本钱，设立修设圭表化计量系统；2）普及运营恶果：公司将核心优化、简化运营流程，普及部分办事恶果，施行部分部分KPI轨制，加紧跨部分疏导，用客户速意度来监视运营和推倒部分墙，加强PLM&ERP体例；3）产物料理擢升：公司将接续完整加强产物料理，擢升产物焦点逐鹿力，同意并按期完整产物道途图，同意中长久产物筹办，按期进行市集剖释，遵循特定客户同意出卖战略；4）出卖料理优化：公司将细化和落实出卖战略OST，设立修设客户和公司高层按期疏导机制，设立修设出卖，产物料理，策画按期疏导轨制，管制、减低售后本钱；5）产物格地：公司将核心加强质地系统，加强模块化、圭表化，加紧策画质地和技术擢升，加紧控供应商质地管控，加紧创修质地管控，加紧售后质地管控；6）加紧公合合规：公司将接续完整学问产权系统，设立修设和珍惜公司情景和品牌，接续加紧新闻保密与合规轨制摆设，加紧项目申报力度。
